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本設備為偏置靶型單靶磁控鍍膜儀，磁控靶偏置于腔體一側，濺射范圍可覆蓋樣品臺一半，通過樣品臺旋轉可以實現(xiàn)更大樣品的均勻鍍膜。理論*大支持樣品直徑為180mm。設備外形為桌面級別，大大減少了安裝場地需求。設備配有一個直流電源，可用于金屬及其他導電材料的濺射。設備真空系統(tǒng)采用渦輪分子泵組，抽氣速度快，極限真空度高，真空性能優(yōu)異。本設備結構緊湊功能完善便于使用，非常適合用于各類鍍膜試驗。
偏置靶型單靶磁控鍍膜儀技術參數(shù)：
CY-MSZ300G-I-DC-Q 桌面型大腔體偏置靶單靶磁控鍍膜儀
樣品臺
尺寸
φ150mm
轉速
轉速0-20rpm可調(diào)
磁控濺射靶
數(shù)量
2” x1 偏置于腔體一側
真空腔體
腔體尺寸
φ300mm X 200mm
觀察窗口
全向可視
腔體材料
高純石英
開啟方式
頂蓋拆卸式
下法蘭
裝有旋轉式樣品臺及進出氣口
真空系統(tǒng)
機械泵
雙級旋片泵
抽氣接口
KF16
分子泵
渦輪分子泵
抽氣接口
KF40
真空測量
電阻規(guī)+電離規(guī)復合真空計
排氣接口
KF40
極限真空
1.0E-3Pa
供電電源
AC 220V 50/60Hz
抽氣速率
前級泵 1.1L/s 分子泵：60L/S
電源配置
數(shù)量
直流電源 x1
*大輸出功率
直流電源300W
其他
供電電壓
AC220V,50Hz
整機尺寸
500mm X 320mm X6200mm
整機功率
2kW
